因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 氧沉淀密度：测量范围1×10⁸-5×10¹⁰ cm^-2，精度±5%

2. 缺陷分布特征：包括堆垛层错密度（≤50 cm^-1）和位错密度（≤1×10³ cm^-2）

3. 金属杂质浓度：Fe≤5×10¹⁰ atoms/cm³，Cu≤1×10¹⁰ atoms/cm³

4. 载流子寿命：≥500 μs（n型硅），≥200 μs（p型硅）

5. 表面微粗糙度：Ra≤0.3 nm（5×5 μm扫描区域）

检测范围

1. 单晶硅片：直径200-300mm，电阻率0.001-100 Ω·cm

2. 外延硅衬底：厚度2-50 μm，掺杂浓度1×10¹⁴-1×10¹⁹ cm^-3

3. SOI晶圆：埋氧层厚度50-200 nm

4. 太阳能级多晶硅：晶粒尺寸50-500 μm

5. 化合物半导体基板：GaAs、SiC等III-V/IV-IV族材料

检测方法

1. ASTM F121-2020：金属杂质深度分布分析规范

2. ISO 16223:2018：晶体缺陷密度测定规程

3. GB/T 1558-2021：硅中氧含量测定 红外吸收法

4. SEMI MF1530：载流子寿命测试微波光电导衰减法

5. GB/T 39143-2020：半导体材料表面微区分析技术规范

检测设备

1. Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS：痕量金属元素分析（检出限0.01 ppt）

2. JEOL JSM-7900F场发射扫描电镜：缺陷形貌表征（分辨率0.8 nm）

3. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：表面粗糙度测量（Z轴分辨率0.05 nm）

4. Semilab WT-2000载流子寿命测试仪：微波光电导衰减法测量（范围1 μs-10 ms）

5. Horiba LabRAM HR Evolution显微拉曼光谱仪：应力分布分析（空间分辨率300 nm）

6. Agilent 5500 FTIR红外光谱仪：氧/碳含量测定（波数范围7500-350 cm^-1)

7. Four Dimensions 4D-NanoXRF X射线荧光光谱仪：元素面分布分析（探测限100 ppm）

8. KLA Surfscan SP7激光扫描仪：表面颗粒检测（灵敏度30 nm PSL）

9. Oxford Instruments Symmetry EBSD系统：晶体取向分析（角分辨率0.5°）

10. CAMECA SIMS 7G-250二次离子质谱仪：深度剖面分析（深度分辨率3 nm）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。