因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 元素组成分析：采用EDS/XPS测定GaAs中Ga:As原子比（精度±0.3%），InP中In:P化学计量偏差（允许范围±0.5%）

2. 晶体结构表征：XRD测定ZnSe晶格常数（5.667±0.005Å），结晶度FWHM≤0.15°

3. 电学性能测试：霍尔效应仪测量GaN载流子浓度（1×10^17~5×10^18 cm^-3），迁移率≥900 cm²/(V·s)

4. 缺陷密度检测：PL光谱法测定AlSb位错密度（阈值≤1×10^6 cm^-2），阴极荧光扫描分辨率达50nm

5. 表面粗糙度评估：AFM扫描CdTe薄膜Ra值（≤0.8nm@5×5μm），台阶仪测量步长精度0.1Å

检测范围

1. III-V族化合物：GaAs衬底/外延片、InP激光器芯片、GaN功率器件

2. II-VI族化合物：ZnSe红外窗口片、CdTe光伏薄膜、HgCdTe探测器

3. 氧化物半导体：ZnO压敏电阻、SnO₂气敏元件

4. 硫属化合物：CuInS₂太阳能电池、PbS量子点薄膜

5. 氮化物材料：AlN散热基板、BN绝缘涂层

检测方法

1. X射线衍射法：ASTM E975-2020测定晶体取向偏差（Δω≤0.05°）

2. 二次离子质谱：ISO 18114:2021深度剖析掺杂浓度分布

3. 范德堡法：GB/T 1551-2009测量电阻率（0.001-100Ω·cm）

4. 光致发光谱：JIS H 7804:2018表征带隙能量（精度±0.01eV）

5. 扫描电镜法：GB/T 17359-2012观测表面缺陷（分辨率3nm）

检测设备

1. Rigaku SmartLab X射线衍射仪：配备HyPix-3000探测器，θ-2θ扫描范围10°-150°

2. Agilent 4156C半导体参数分析仪：支持DC-IV/CV测试（电压±100V/电流1fA-0.1A）

3. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：峰值力轻敲模式（Z轴分辨率0.02nm）

4. Oxford Instruments AZtecEnergy EDS系统：硅漂移探测器（能量分辨率127eV）

5. Keithley 4200A-SCS参数测试仪：集成脉冲IV模块（上升时间10ns）

6. Thermo Scientific Nexsa XPS系统：单色化Al Kα源（束斑尺寸10μm）

7. Horiba LabRAM HR Evolution拉曼光谱仪：532nm激光（光谱分辨率0.35cm^-1）

8. Veeco DektakXT轮廓仪：12μm触针（垂直量程1mm/重复性±1Å）

9. Lake Shore 8404霍尔测试系统：磁场强度1T（温度范围80-700K）

10. Zeiss Merlin SEM：Gemini II镜筒（加速电压0.02-30kV）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。