因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 位错密度测定：测量范围10⁴-10¹² cm⁻²，误差≤±5%

2. 晶界取向差角分析：角度分辨率0.1°，测量范围0.5°-15°

3. 位错分布均匀性评估：采用二维傅里叶变换量化空间分布系数

4. 晶界界面能计算：基于EAM势函数模拟界面能值（单位：J/m²）

5. 位错迁移率测试：温度范围25-1200℃，应变速率10⁻⁴-10⁻² s⁻¹

检测范围

1. 高温合金：镍基单晶涡轮叶片（CMSX-4）、钴基合金（Stellite 6B）

2. 半导体材料：硅单晶（直径≤300mm）、砷化镓外延片

3. 金属复合材料：铝基碳化硅（Al-SiC）、钛基复合材料（TiB/Ti）

4. 结构钢材料：马氏体时效钢（18Ni300）、双相不锈钢（2205）

5. 纳米晶体材料：平均晶粒尺寸≤100nm的纯铜/纯镍试样

检测方法

1. ASTM E112-13：电子背散射衍射（EBSD）测定晶粒尺寸与取向

2. ISO 643:2019：金相显微镜法测定表观位错密度

3. GB/T 13298-2015：金属显微组织检验通则

4. ASTM E2627-13：透射电镜（TEM）位错特征分析规程

5. ISO 24173:2009：电子通道衬度成像（ECCI）技术规范

6. GB/T 38885-2020：纳米材料亚表面缺陷表征指南

检测设备

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。