因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.二次电子产额系数（δ）：测量入射电子能量在0.1-30keV范围内的电子产额比
2.背散射修正因子（η）：计算能量损失在5%-40%区间的背散射电子比例
3.能谱半峰宽（FWHM）：分析二次电子能量分布曲线的50%强度带宽
4.表面电荷密度（σ）：测定单位面积电荷量（单位：C/cm）
5.逸出功阈值（Φ）：标定材料表面电子逸出所需最小能量（eV）

检测范围

1.半导体材料：硅晶圆、GaAs衬底等集成电路基材
2.金属薄膜：铝/铜镀层（厚度50-500nm）
3.绝缘介质：氧化硅/氮化硅薄膜（介电常数3.9-7.5）
4.光电材料：CsSb光电阴极（波长响应200-900nm）
5.真空器件：行波管收集极组件（工作电压3-30kV）

检测方法

1.ASTME673-22：表面分析中二次电子产额的标准测试方法
2.ISO18118:2022：化学成分分析的电子能谱法通则
3.GB/T22571-2017：表面化学分析-X射线光电子能谱仪能量标准
4.ISO21270:2020：表面化学分析的XPS强度标定程序
5.GB/T28893-2018：表面化学分析-二次离子质谱分析方法通则

检测设备

1.ThermoScientificK-Alpha+XPS系统：配备单色化AlKα源（1486.6eV）
2.JEOLJIB-4700FFIB-SEM：配置低加速电压模块（0.1-30kV）
3.ULVAC-PHIQuantesEDX/WDS联用系统：能量分辨率＜130eV
4.SPECSPHOIBOS150HSA分析仪：半球能量分析器（5meV分辨率）
5.BrukerDimensionIconAFM：ScanAsyst模式（0.1nm垂直分辨率）
6.Agilent8500A动态二次电子测试台：脉冲电子源（频率1MHz）
7.KeysightB1500A半导体参数分析仪：最小电流分辨率10fA
8.OmicronEA125电子能量分析器：五通道电子倍增器阵列
9.HitachiSU9000冷场发射SEM：束斑尺寸＜1nm@15kV
10.RBD1471延迟线探测器：时间分辨率

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。