因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 锗含量测定：采用ICP-OES法（精度±0.01%），测定范围0.1-99.9%

2. 氧化态验证：X射线光电子能谱（XPS）分析Ge²+特征峰（结合能范围1215-1225eV）

3. 杂质元素检测：ICP-MS法测定As、Pb、Cd等重金属（检出限≤0.01ppm）

4. 晶体结构表征：XRD分析（2θ角10°-80°，步长0.02°）

5. 热稳定性测试：TGA-DSC联用（升温速率10℃/min，N₂氛围）

检测范围

1. 半导体前驱体材料：GeO薄膜沉积源、GeS₂纳米颗粒

2. 有机金属催化剂：二茂锗配合物、烷基锗化合物

3. 医药中间体：含Ge²+抗肿瘤配合物

4. 光学镀膜材料：GeSe红外窗口材料

5. 高分子复合材料：锗掺杂导电聚合物

检测方法

1. GB/T 11066.5-2008《锗化学分析方法 总锗量的测定》

2. ASTM E1479-16《电感耦合等离子体原子发射光谱标准试验方法》

3. ISO 11885:2007《水质-电感耦合等离子体质谱法测定元素》

4. GB/T 17432-2012《金属及合金电子探针定量分析方法》

5. ISO 11357-3:2018《塑料差示扫描量热法第3部分：熔融和结晶温度测定》

检测设备

1. Thermo Scientific iCAP 7400 ICP-OES：多元素同步分析（波长范围166-847nm）

2. Shimadzu XRD-7000 X射线衍射仪：θ-θ测角仪（Cu Kα辐射源）

3. PerkinElmer TGA 8000热重分析仪：温度范围25-1000℃（分辨率0.1μg）

4. Agilent 8900 ICP-MS三重四极杆质谱仪：质量数范围3-270amu

5. Bruker D8 ADVANCE XPS系统：单色化Al Kα射线（能量分辨率≤0.5eV）

6. Metrohm 905 Titrando电位滴定仪：支持非水体系滴定（精度±0.1μL）

7. Malvern Zetasizer Nano ZSP动态光散射仪：粒径测量范围0.3nm-10μm

8. Hitachi SU8010场发射电镜：分辨率1.0nm@15kV（配备EDX探测器）

9. Mettler Toledo DSC 3+差示扫描量热仪：温度精度±0.1℃

10. JASCO FT/IR-6600傅里叶红外光谱仪：光谱范围7800-350cm⁻¹

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。