因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 晶面间距测量：分辨率≤0.02 nm，误差范围±0.01 nm

2. 取向偏差分析：角度测量精度±0.1°

3. 条纹连续性评估：缺陷识别灵敏度≥1 nm

4. 缺陷密度统计：单位面积缺陷计数误差≤5%

5. 界面匹配度测试：晶格错配度计算精度±0.2%

检测范围

1. 半导体材料：单晶硅(Si)、氮化镓(GaN)等III-V族化合物

2. 金属及合金：铝(Al)、钛合金(Ti-6Al-4V)等

3. 陶瓷材料：氧化铝(Al₂O₃)、氧化锆(ZrO₂)等

4. 纳米材料：碳纳米管(CNT)、量子点(QD)等

5. 复合材料：金属基复合材料(MMC)、陶瓷基复合材料(CMC)

检测方法

ASTM E112-13 晶粒度测定标准

ISO 16700:2016 微束分析-扫描电镜校准规范

GB/T 13298-2015 金属显微组织检验方法

GB/T 23414-2009 微束分析术语和定义

ISO 25498:2018 透射电子显微术选区电子衍射分析方法

检测设备

1. JEOL JEM-ARM300F透射电子显微镜：加速电压300 kV，点分辨率0.08 nm

2. Thermo Scientific Apreo 2扫描电子显微镜：分辨率0.6 nm@15 kV

3. Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪：角度重复性±0.0001°

4. Gatan OneView CMOS相机：采集速度25 fps@4k分辨率

5. FEI Titan G2 80-200 STEM：探针电流200 pA，STEM分辨率0.07 nm

6. Oxford Instruments AZtec EBSD系统：花样采集速度4000点/秒

7. Hitachi HF5000场发射透射电镜：信息极限分辨率0.1 nm

8. Zeiss Libra 200 MC能量过滤电镜：能量分辨率1 eV

9. Shimadzu EMAX X射线能谱仪：元素检测范围B~U

10. Gatan K3 IS相机：动态范围>40,000:1

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。