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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
1. 电流增益(hFE):测量集电极电流与基极电流比值,范围0.1-1000
2. 击穿电压(VCEO):测试集电极-发射极反向耐压值,最高达2000V
3. 漏电流(ICEO):评估截止状态下漏电流值,精度±0.1nA
4. 开关时间:包括开启时间(ton)10-1000ns和关断时间(toff)20-1500ns
5. 热阻(RθJC):计算结壳间热阻值,范围0.1-10℃/W
1. 双极型晶体管(BJT):NPN/PNP结构功率器件
2. 场效应晶体管(MOSFET):增强型/耗尽型器件
3. 绝缘栅双极晶体管(IGBT):1200V以上高压模块
4. 射频晶体管:L波段至Ku波段微波器件
5. 光敏晶体管:波长响应范围400-1100nm
1. IEC 60747-1:2022《半导体器件分立器件通用规范》
2. GB/T 4587-1994《双极型晶体管测试方法》
3. ASTM F1248-16《功率晶体管热特性测试标准》
4. JEDEC JESD22-A108F《温度循环可靠性试验》
5. GB/T 17573-1998《半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则》
1. Keysight B1505A功率器件分析仪:支持3000V/1500A脉冲测试
2. Tektronix DPO73304SX示波器:30GHz带宽波形采集
3. Chroma 19032耐压测试仪:AC/DC 5kV绝缘强度测试
4. Fluke Ti480红外热像仪:-20℃~1500℃温度场分析
5. Agilent 4156C精密半导体参数分析仪:fA级微电流测量
6. Thermo Scientific CL24热阻测试系统:瞬态热特性分析
7. Hioki IM3590化学阻抗分析仪:10μHz~200MHz频段测试
8. ESPEC PL-3KPH温度冲击试验箱:-70℃~+180℃快速温变
9. Bruker Contour Elite三维光学轮廓仪:纳米级封装形变检测
10. Advantest U3411A高频参数测试仪:40GHz S参数测量
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。