因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 晶须长度测量：测量范围0.1-1000μm，分辨率≤0.05μm

2. 表面密度统计：统计单位面积晶须数量（个/mm²）

3. 生长速率测定：记录温度循环条件下晶须伸长速率（μm/h）

4. 晶体结构分析：通过EBSD测定晶粒取向差（5°-45°）

5. 元素成分验证：EDX分析Sn含量（≥99.3%）及杂质元素（Cu≤0.7%）

检测范围

1. 电子元器件引脚镀层（厚度3-15μm）

2. PCB表面处理层（ENIG/ImSn/HASL）

3. 半导体封装用锡基焊料（SAC305/SnBi）

4. 连接器接触件镀锡层（哑光/光亮镀层）

5. 高密度互连器件BGA焊球阵列

检测方法

1. ASTM B894-19 锡及锡合金镀层晶须测试方法

2. IEC 60068-2-82 环境试验-锡晶须生长试验

3. JESD22-A121A 电子器件表面晶须评估标准

4. GB/T 2423.51-2020 电工电子产品环境试验规范

5. IPC/JEDEC-9705 板级互连应力测试指南

检测设备

1. Hitachi SU5000场发射扫描电镜：5nm分辨率形貌观测

2. Oxford X-Max 50能谱仪：元素成分面分布分析

3. Olympus DSX1000数字显微镜：三维形貌重构测量

4. Thermo Fisher Apreo SEM：原位加热台动态观测

5. Keysight B1500A半导体分析仪：微区电阻变化监测

6. ESPEC STH-120温湿度试验箱：85℃/85%RH加速试验

7. Bruker D8 Discover XRD：晶体结构相变分析

8. Zeiss Crossbeam 550 FIB-SEM：截面制备与三维重构

9. Mitutoyo LSM-1200激光共聚焦显微镜：非接触式高度测量

10. Linkam TS1500热台：-40~150℃温度循环控制

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。