因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.漏电流测试：测量反向偏压（100-1000V）下的暗电流值（nA级），评估PN结完整性

2.能量分辨率校准：使用⁵⁵Fe源（5.9keV）测定FWHM值（典型值≤150eV）

3.死层厚度测定：通过α粒子（241Am源）透射法计算表面钝化层厚度（＜100nm）

4.电荷收集效率：采用微束X射线扫描（10μm步长）绘制效率分布图（≥98%）

5.温度稳定性测试：在-30℃至+50℃范围内监测能量峰位漂移（允许偏差0.05%）

检测范围

1.高纯硅基体材料：纯度≥99.9999%，电阻率3000-5000Ωcm

2.锂扩散层结构：扩散深度200-500μm，浓度梯度≤5%/μm

3.真空封装探测器：工作压力≤110^-3Pa的TO-8金属管壳封装件

4.低温恒温组件：集成液氮制冷模块的探测系统（77K工作环境）

5.前置放大器匹配性：输入电容≤1pF的电荷灵敏型放大电路

检测方法

1.ASTME1819-20：半导体辐射探测器电学特性标准测试规程

2.ISO18589-4:2019：电离辐射测量中硅探测器的能量线性度评估

3.GB/T13181-2015：闪烁体与半导体X射线探测器性能测试方法

4.IEC60747-14-3:2010：半导体器件-辐射探测器专项试验程序

5.JJG852-2019：工作用X射线探测器检定规程

检测设备

1.半导体参数分析仪（AgilentB1500A）：IV/CV特性曲线测量（0.1fA分辨率）

2.多道脉冲幅度分析器（ORTECDSPEC50）：能谱采集与FWHM计算

3.X射线微焦斑源（HamamatsuL8121-03）：5μm焦点直径的束流发生装置

4.低温真空探针台（LakeShoreCRX-6.5K）：77K~300K温控测试环境

5.α粒子能谱仪（CanberraAlphaAnalyst）：241Am源活度校准系统

6.激光干涉测厚仪（ZygoNewView9000）：死层表面形貌三维重建

7.高精度恒温箱（ESPECSH-641）：0.1℃温度稳定性控制

8.超低噪声电源（Keithley237）：1000V/1nA级偏压输出

9.X射线荧光校准源（AmptekXR-100CR）：多元素特征X射线发射装置

10.电荷前置放大器（CrematCR-110）：0.9pF输入电容匹配电路

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。