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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
1.晶格常数测定:测量范围3-10,精度0.002
2.晶体取向分析:角度分辨率0.1,扫描步长0.01
3.残余应力测试:应力敏感度5MPa,深度分辨率50nm
4.织构系数计算:ODF分析精度2%,极图采集速度15帧/分钟
5.缺陷密度评估:位错密度检测下限110⁶/cm
6.薄膜厚度测量:非破坏性检测范围10nm-5μm
1.金属合金:航空发动机单晶叶片(γ/γ'相分析)
2.半导体材料:硅片(111)/(100)晶向偏差检测
3.陶瓷材料:氮化硅轴承球亚表面相变监测
4.高分子材料:液晶聚合物分子链取向度测定
5.薄膜涂层:光学镀膜残余应力梯度分布测试
6.地质样品:页岩黏土矿物结晶度指数分析
ASTME915-16:残余应力测试的sinψ法标准规程
ISO22278-2017:薄膜材料XRD结构表征技术规范
GB/T23413-2009:纳米晶体材料衍射分析方法
ASTMF2624-12:半导体晶片定向标准测试方法
GB/T36065-2018:电子背散射衍射(EBSD)数据分析通则
ISO24173-2009:微束衍射取向成像技术指南
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备CBO交叉光路系统,实现0.0001步进精度
2.BrukerD8DISCOVER二维衍射系统:Hi-Star探测器支持实时织构分析
3.PANalyticalEmpyrean多功能平台:PIXcel3D探测器实现3D衍射成像
4.MalvernPanalyticalX'Pert3MRD:四轴测角仪支持薄膜掠入射测试
5.ProtoLXRD残余应力分析仪:专用ψ角旋转台满足ASTM标准测试
6.ShimadzuXRD-7000:高速扫描系统(10000deg/min)提升检测效率
7.ThermoFisherARLEQUINOX3000:微区衍射光斑尺寸可调至50μm
8.HitachiTM3030EBSD系统:搭配RigakuD/teXUltra探测器实现原位分析
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。