因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.时序偏差检测：CAS信号建立时间（tCAC）≤2.5ns，保持时间（tCH）≥1.8ns

2.电压容限测试：高电平VIH≥1.8V5%，低电平VIL≤0.6V3%

3.信号完整性分析：眼图张开度≥0.7UI，抖动RMS值≤15ps

4.功耗特性测量：动态电流IDD4≤120mA@1.2V

5.抗干扰能力验证：注入10%电源噪声下保持误码率BER＜1E-12

检测范围

1.DDR4/DDR5SDRAM颗粒及模组

2.LPDDR4X/LPDDR5移动存储芯片

3.3DNAND闪存控制电路

4.GDDR6显存核心单元

5.HBM2E高带宽存储器堆叠结构

检测方法

1.ASTMF1241-22《半导体器件时序特性测试规程》

2.ISO/IEC14762:2023《集成电路信号完整性测量导则》

3.GB/T17574-2020《半导体存储器件通用规范》

4.JEDECJESD209-5BLPDDR5测试标准

5.GB/T26248-2021《动态随机存取存储器（DRAM）测试方法》

检测设备

1.KeysightD9040ASICDDR5协议分析仪（支持6.4Gbps信号捕获）

2.TektronixDPO73304SX示波器（33GHz带宽/200GSa采样率）

3.AdvantestT5593存储器测试系统（最高支持32通道并行测试）

4.Chroma33622P-80-120电源干扰模拟器（15%纹波注入）

5.AnritsuMP1900A误码率测试仪（28GbpsPRBS码型生成）

6.FormFactorCM300xi-ULN探针台（支持-55℃~150℃温控测试）

7.NationalInstrumentsPXIe-5164数字化仪（14位分辨率/500MS/s）

8.R&SRTP084高频示波器（8GHz带宽/40GSa实时采样）

9.TeradyneUltraFLEXplus测试平台（支持HBM2E多Die同步测试）

10.CohuCELLO300温度冲击试验箱（温变速率≥30℃/min）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。