因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.光强均匀性：测量曝光区域3%范围内的能量分布偏差

2.掩膜间隙控制：检测0.5-50μm范围内的间隙波动值

3.曝光波长精度：验证365nm/405nm波长光源1nm偏差

4.套刻对准误差：评估X/Y轴方向≤10nm的对位偏移量

5.剂量重复性：连续曝光100次剂量波动≤1.5%

检测范围

1.半导体晶圆（硅基/化合物基）

2.光刻胶涂层材料（正胶/负胶/化学放大胶）

3.微机电系统（MEMS）结构层

4.显示面板TFT阵列基板

5.高精度光学衍射元件

检测方法

ASTMF1811-18光刻系统分辨率测试规范

ISO14644-8洁净环境中的气浮平台振动测试

GB/T30270-2013集成电路制造设备曝光系统性能检测方法

GB/T39143-2020纳米级图形转移工艺验收规范

SEMIP35-1108半导体设备曝光剂量稳定性测试指南

检测设备

1.NikonNSR-2205i11E步进扫描投影光刻机（10nm节点套刻精度）

2.KLATencorArcher500LCM套刻误差测量系统（0.5nm分辨率）

3.VeecoNT9100白光干涉仪（表面形貌三维重构）

4.HamamatsuC10910D深紫外光强分析仪（193-436nm波长范围）

5.ZygoMarkIIIxp激光干涉仪（λ/1000平面度测量）

6.BrukerDimensionIconPT原子力显微镜（0.1nm纵向分辨率）

7.ThermoFisherFS7000飞秒激光测距系统（50μm间隙实时监控）

8.HitachiCG4100临界尺寸扫描电镜（0.6nm测量重复性）

9.KeysightN7788B光波前分析仪（λ/20波前畸变检测）

10.RudolphFEIII自动对准显微镜（5nm对准精度）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。