因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 膜厚均匀性：测量光刻胶层厚度偏差（±3nm以内），采用多点扫描法评估基片表面覆盖率

2. 分辨率测定：通过线宽/间距测试图形验证最小可分辨特征尺寸（0.15μm级）

3. 粘附强度：评估光刻胶与硅/金属基底的结合力（≥8MPa），包含干法/湿法环境测试

4. 显影动力学：记录显影液浓度（2.38% TMAH）下的溶解速率（50-150nm/s）

5. 残留物分析：检测显影后有机残留量（≤5ppm），包含FTIR光谱特征峰分析

检测范围

1. 半导体用深紫外（DUV）负型光刻胶：适用于248nm/193nm曝光系统的高精度电路图案化

2. MEMS器件用厚膜负胶：膜厚范围5-200μm的微机械结构成型材料

3. 平板显示用彩色光刻胶：RGB三色滤光片制备材料的光敏特性验证

4. 封装用低温固化负胶：150℃以下固化工艺的介电层材料性能测试

5. 纳米压印模板用高硬度负胶：硬度≥3GPa的模具复制材料耐久性评估

检测方法

1. ASTM F1761：光刻胶粘附性十字划格法测试规范

2. ISO 14644-7：洁净室环境下微粒污染度分级检测标准

3. GB/T 16525-2019：半导体材料分辨率测试图形的制备与测量方法

4. SEMI P35-1108：光刻胶膜厚均匀性多点测量规程

5. JIS K 5600-7-7：显影液浓度与溶解速率对应关系测定标准

检测设备

1. 椭偏仪（J.A. Woollam M-2000）：非接触式膜厚测量（精度±0.1nm）及光学常数分析

2. 台阶仪（KLA Tencor P-17）：表面形貌三维轮廓测量（垂直分辨率0.1nm）

3. 扫描电镜（Hitachi SU-8000）：0.8nm分辨率下观察显影后图形边缘粗糙度

4. FTIR光谱仪（Thermo Nicolet iS50）：4000-400cm⁻¹波段有机残留物定性定量分析

5. 粘附力测试仪（Dage Series 4000）：0-50N范围内精密推拉力测量

6. 激光粒度仪（Malvern Mastersizer 3000）：显影液颗粒物分布检测（0.01-3500μm）

7. 恒温显影槽（SUSS ACS200）：温度控制精度±0.1℃的动态显影过程模拟系统

8. UV曝光机（Karl Suss MA8）：365-436nm波段可调式曝光能量校准装置

9. X射线荧光仪（Rigaku ZSX Primus IV）：重金属杂质含量分析（检出限1ppm）

10. 环境应力测试箱（ESPEC PL-3J）：温度循环（-65℃~150℃）与湿度冲击（10-95%RH）试验系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。