因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 晶粒尺寸测定：采用线截距法或图像分析软件（如Image-Pro Plus），测量范围50nm-500μm，误差≤±3%。

2. 相组成分析：结合能谱仪（EDS）进行元素面分布扫描，探测极限0.1wt%，空间分辨率≤3nm。

3. 位错密度计算：通过明场/暗场TEM成像定量统计，适用密度范围10⁶-10¹² cm⁻²。

4. 界面特性表征：测量晶界角度分布（0-180°），取向差角精度±0.5°。

5. 孔隙率测定：采用阈值分割法计算孔隙占比，最小可识别孔径10nm。

检测范围

1. 金属材料：包括铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel 718）等。

2. 半导体材料：硅晶圆（<100>/<111>晶向）、GaN外延层、LED芯片多层结构。

3. 陶瓷材料：氧化锆（YSZ）热障涂层、碳化硅纤维增强复合材料。

4. 高分子材料：聚乙烯结晶度分析、碳纤维/环氧树脂界面结合状态。

5. 生物材料：羟基磷灰石涂层多孔结构、人工关节表面磨损形貌。

检测方法

1. ASTM E112-13：金属平均晶粒度测定标准方法

2. ISO 16700:2016：扫描电镜操作规范及校准程序

3. GB/T 13298-2015：金属显微组织检验方法

4. ASTM F1877-16：医用植入物表面形貌表征指南

5. ISO 21363:2020：纳米颗粒尺寸分布的TEM测定

检测设备

1. Thermo Scientific Apreo 2 SEM：配备场发射电子枪，分辨率0.8nm@15kV

2. FEI Talos F200X TEM：STEM模式分辨率0.16nm，集成SuperX EDS系统

3. Zeiss GeminiSEM 500：低真空模式可观测非导电样品

4. JEOL JSM-7900F Schottky SEM：搭配EBSD系统实现晶体取向分析

5. TESCAN S8000G FIB-SEM：离子束加工精度±5nm

6. Hitachi Regulus 8230冷场SEM：低加速电压下观察敏感材料

7. Bruker Quantax EDS系统：元素探测范围B-U

8. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器：采集速度＞3000点/秒

9. Gatan K3 IS相机：支持4K×4K STEM成像

10. Leica EM ACE600镀膜仪：实现5nm级Pt/Pd导电层沉积

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。