因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

数据保持能力：在85℃高温环境下评估10年数据保留周期，阈值电压漂移量≤15%

耐久性测试：执行10^5次编程/擦除循环后单元失效比例＜0.01%

工作电压范围：验证1.7V-3.6V供电区间读写功能稳定性

温度循环测试：-40℃至125℃范围内完成1000次循环后接口阻抗变化率≤5%

静态电流测试：待机模式下漏电流≤1μA@25℃标准工况

检测范围

NOR Flash存储器：适用于嵌入式系统代码存储验证

NAND Flash芯片：覆盖SLC/MLC/TLC/QLC架构的3D堆叠器件

EEPROM模块：重点检测I²C/SPI接口兼容性与页写入速度

FRAM铁电存储器：考核极化反转耐久性与抗辐射性能

MRAM磁阻存储器：验证隧道结电阻稳定性与磁场干扰容限

检测方法

JESD22-A117C：非易失性存储器耐久性与数据保持测试规范

ASTM F1249：半导体存储器高温高湿加速老化试验方法

ISO 26262-8:2018：汽车级存储器功能安全验证流程

GB/T 15878-2021：半导体存储器电气特性测量通用规则

GB/T 34434-2017：嵌入式存储器接口信号完整性测试指南

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：执行IV曲线扫描与栅极漏电流测量

Tektronix DPO70000SX示波器：64GHz带宽验证高速接口时序参数

ThermoStream T-2600温度循环箱：实现-65℃~+200℃精准温控测试

Cascade Summit 12000探针台：支持12英寸晶圆级可靠性验证

Advantest T5593存储器测试系统：并行测试256通道的编程/擦除特性

Agilent 4338B毫欧表：测量电源引脚接触电阻（分辨率0.1μΩ）

Espec SH-642恒温恒湿箱：执行85℃/85%RH加速寿命试验

Cohu MAXTER探针卡：支持DDR4/LPDDR5接口协议一致性测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。