因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 晶格畸变率测量：量化晶体结构偏离理想状态程度（0.1%-5%）

2. 位错密度分析：测定单位体积内线缺陷数量级（1E6-1E12 cm⁻²）

3. 晶界角度分布：统计相邻晶粒取向差角度（2°-62°）

4. 相组成均匀性：多相材料中各相体积分数偏差（±0.8%）

5. 残余应力分布：三维应力场梯度测量（±2000MPa）

检测范围

1. 金属合金：钛合金/镍基高温合金/铝合金

2. 半导体材料：单晶硅/碳化硅/氮化镓

3. 陶瓷材料：氧化锆/氮化硼/压电陶瓷

4. 高分子晶体材料：聚丙烯/聚乙烯单晶

5. 薄膜涂层材料：PVD/CVD沉积功能涂层

检测方法

1. X射线衍射法：ASTM E1426-14测定残余应力

2. 电子背散射衍射：ISO 24173:2019晶界特征分析

3. 透射电子显微镜：GB/T 23414-2009位错观测规范

4. 同步辐射技术：GB/T 36085-2018高分辨应变测量

5. 中子衍射法：ISO 21484:2017大体积样品检测

检测设备

1. X射线衍射仪（PANalytical Empyrean）：全谱晶体结构分析

2. 场发射扫描电镜（FEI Quanta 650 FEG）：EBSD取向成像

3. 透射电镜（JEOL JEM-ARM300F）：原子级缺陷观测

4. 同步辐射装置（上海光源BL14B1）：微区应变扫描

5. X射线应力分析仪（Proto LXRD）：现场残余应力测试

6. 电子探针显微分析仪（Shimadzu EPMA-8050G）：成分-结构关联分析

7. 三维X射线显微镜（ZEISS Xradia 620 Versa）：非破坏性三维成像

8. 激光共聚焦拉曼光谱仪（Horiba LabRAM HR Evolution）：局部应力表征

9. 中子衍射仪（中国散裂中子源SANS）：深层结构探测

10. 高温原位测试系统（Bruker D8 Advance HTK1200N）：变温环境监测

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。