因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.位错密度测定：定量分析单位体积内位错线总长度（10⁶-10cm⁻量级）

2.位错分布特征：包括均匀性指数（HI≥0.85）、团簇尺寸（≤5μm）及取向偏差角（2）

3.位错类型鉴别：刃型/螺型位错比例（误差≤3%）、伯格斯矢量测定精度（0.01nm）

4.动态位错行为：原位拉伸应变速率（10⁻⁵-10⁻s⁻）、温度梯度（ΔT≤1℃/min）

5.界面位错网络：晶界迁移速率（0.1-10nm/s）、网络间距测量分辨率（0.5nm）

检测范围

1.金属材料：铝合金（AA6061-T6）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温镍基合金（Inconel718）

2.半导体材料：单晶硅（<100>/<111>取向）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）

3.陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃≥99.5%）、氮化硅（Si₃N₄）、压电陶瓷（PZT-5H）

4.高分子材料：超高分子量聚乙烯（UHMWPE）、聚酰亚胺薄膜（KaptonHN）

5.复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP,T800/3900-2）、金属基复合材料（SiC/Al）

检测方法

1.ASTME112-13：金相法测定金属平均晶粒度与位错密度关联性分析

2.ISO21466:2019：透射电镜定量位错表征的样品制备与图像处理规范

3.GB/T13305-2008：X射线衍射线形分析法测定金属材料位错密度

4.ASTMF1940-07(2021)：半导体晶片蚀刻坑密度测试规程

5.ISO22262-3:2016：电子背散射衍射（EBSD）晶体取向差分析标准

检测设备

1.透射电子显微镜：JEOLJEM-2100F（点分辨率0.19nm,STEM-HAADF模式）

2.X射线衍射仪：BrukerD8ADVANCE（CuKα光源,2θ角精度0.0001）

3.电子背散射衍射系统：OxfordInstrumentsSymmetryS2（空间分辨率3nm@20kV）

4.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（峰值力轻敲模式,Z轴噪声＜0.05nm）

5.聚焦离子束系统：ThermoFisherScios2DualBeam™（30kVGa+离子束,5nm定位精度）

6.激光共聚焦显微镜：KeyenceVK-X3000（405nm激光,Z轴重复性0.01μm）

7.原位力学测试台：DebenMicrotest5kN（温度范围-150~350℃,应变测量误差≤0.1%）

8.阴极荧光谱仪：GatanMonoCL4Elite（波长范围200-1600nm,光谱分辨率0.1nm）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。