因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.阈值电压测试：测量范围0-100VDC，分辨率0.1mV

2.反向漏电流测试：电流量程1nA-10mA，精度0.5%

3.击穿电压测试：最大施加电压5000VDC，步进速率10V/s

4.温度特性分析：工作温度范围-65℃~+175℃，温控精度0.5℃

5.动态响应测试：脉冲宽度10ns-100ms，上升时间≤5ns

6.电容-电压特性：频率范围1kHz-1MHz，电容分辨率0.01pF

检测范围

1.硅基半导体器件：包括二极管、MOSFET、IGBT等分立元件

2.宽禁带半导体材料：碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)功率器件

3.集成电路芯片：CMOS工艺中的ESD保护结构

4.光电器件：PIN光电二极管、雪崩光电二极管(APD)

5.功率模块封装：IGBT模块、IPM智能功率模块

检测方法

ASTMF1244-16：半导体器件反向偏置特性测试标准方法

IEC60747-5:2019：分立半导体器件的电特性测量规范

GB/T4587-2018：半导体器件反向阻断三极管的测试方法

JEDECJESD22-A108F：温度/偏置寿命试验标准

ISO16750-2:2023：汽车电子电气部件环境试验要求

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A脉冲测试能力

TektronixPA3000功率分析仪：带宽10MHz,基本精度0.04%

Chroma19032耐压测试仪：最大输出电压5kVAC/DC

AgilentE4980ALCR表：频率范围20Hz至2MHz,基本精度0.05%

ThermoStreamT-3400温控系统：温变速率60℃/min,温度稳定性0.3℃

NIPXIe-4139源测量单元：分辨率18位,采样率1MS/s

HIOKIPW3390功率分析仪：支持谐波分析至500次

ESPECPL-3KPH气候箱：温湿度范围-70℃~+180℃/10%RH~98%RH

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。