因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.表面元素定性分析：能量范围0-2000eV，检出限0.1-1at%，横向分辨率≤10nm

2.深度剖析：溅射速率0.1-50nm/min（Ar+离子束），深度分辨率<2nm

3.化学态分析：峰位偏移量测量精度0.1eV，微分谱信噪比>20:1

4.微区线扫描：扫描步长10-100nm，最大扫描长度500μm

5.三维重构分析：层析厚度≤100nm，三维体素分辨率552nm

检测范围

1.半导体材料：硅基集成电路、GaAs/GaN化合物半导体、ALD沉积薄膜

2.金属材料：不锈钢表面钝化层、钛合金氧化膜、焊点界面扩散区

3.功能涂层：类金刚石碳膜（DLC）、磁记录介质多层膜、光伏电池透明导电层

4.纳米材料：量子点表面配体分析、纳米线成分梯度表征

5.失效分析：芯片金属迁移路径追踪、腐蚀产物成分鉴定

检测方法

ASTME984-20《俄歇电子能谱仪表面分析标准指南》规定电子枪束流稳定性应优于1%/h

ISO18118:2017《表面化学分析-俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的定量分析》要求标样校准周期≤6个月

GB/T26533-2011《俄歇电子能谱分析方法通则》明确真空度需保持≤510⁻⁷Pa

ISO21270:2004《表面化学分析-X射线光电子和俄歇电子能谱-强度标的重复性和一致性》规定能量标定误差≤0.2eV

GB/T28893-2012《表面化学分析俄歇电子能谱和X射线光电子能谱测定峰强度的方法》要求积分时间≥30s/通道

检测设备

1.PHI700Xi：配备同轴圆柱镜分析器（CMA），能量分辨率ΔE/E=0.25%，配备场发射电子枪（FEG）

2.ThermoScientificNexsaG2：集成微束XPS/AES联用系统，最小束斑尺寸<7μm

3.JEOLJAMP-9500F：场发射俄歇微探针，二次电子成像分辨率3nm@15kV

4.OmicronNanoSAM：超高真空系统（510⁻⁰mbar），配备四极质谱仪联用模块

5.ULVAC-PHISAM650：配置16通道多阳极探测器，数据采集速率达100kHz

6.SPECSFlexModAAS：模块化设计支持LEED/STM联用功能

7.KratosAXISSupra+：集成磁浸没透镜系统，灵敏度提升3倍

8.ScientaOmicronDA30-L：半球型分析器角度分辨率0.1

9.RBDInstruments9100A：多模式离子枪（Ar+/O₂+），溅射速率校准精度5%

10.STAIBInstrumentsDESA100：差分抽气系统实现快速样品更换（<30min）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。