因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 表面元素组成分析：氦离子能量2-4 keV，束流密度0.5-2 μA/cm²

2. 薄膜厚度测量：能量分辨率≤0.1 keV，深度分辨率5-20 nm

3. 晶格缺陷表征：入射角45°±2°，通道效应分析精度±0.05°

4. 界面扩散层检测：溅射速率0.1-5 nm/s，温度控制±1℃

5. 动态污染监测：检出限≤1×10¹² atoms/cm²，重复性误差＜3%

检测范围

1. 半导体材料：硅基晶圆、GaN外延片、碳化硅衬底

2. 金属薄膜：铝/铜互连层、钛/氮化钛阻挡层

3. 光学镀膜：SiO₂/Ta₂O₅多层膜、类金刚石碳膜

4. 高分子材料：聚酰亚胺表面改性层、PET阻隔涂层

5. 陶瓷复合材料：氧化锆热障涂层、碳化硅纤维增强体

检测方法

ASTM E673-18《表面分析标准术语》中规定的背散射谱分析方法

ISO 18114:2021《离子束分析-弹性反冲探测分析方法》

GB/T 20176-2020《表面化学分析-二次离子质谱法测定元素浓度》

GB/T 35033-2018《微束分析-电子探针显微分析通用技术条件》

ISO 20903:2019《表面化学分析-俄歇电子能谱和X射线光电子能谱》

检测设备

1. Varian 350DF离子注入机：配备双等离子体源（He⁺/Ne⁺），能量范围0.5-200 keV

2. Thermo Scientific PHI 710扫描俄歇微探针：空间分辨率≤8 nm，元素检出限0.1 at%

3. Kratos AXIS Supra XPS系统：单色Al Kα光源（1486.6 eV），能量分辨率＜0.45 eV

4. Cameca IMS 7f-auto SIMS：质量分辨率M/ΔM＞20,000，深度剖析速度＞1 μm/h

5. Oxford Instruments IncaWave WDS：波长色散谱仪，元素分析范围Be-U

6. JEOL JIB-4700F聚焦离子束系统：束斑直径≤4 nm，最大束流20 nA

7. Ulvac-PHI VersaProbe IV：多模式XPS/SIMS联用系统，角分辨分析精度±0.1°

8. Hitachi IM4000Plus离子研磨仪：氩离子加速电压0.1-8 kV，断面加工精度±50 nm

9. Agilent 8500FD动态前级真空系统：极限真空5×10⁻⁸ Pa，抽速2000 L/s

10. Bruker D8 Advance XRD联用平台：θ-θ测角仪精度±0.0001°，应力分析模块

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。