因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

晶面间距测量：测量范围0.1-10 nm，精度±0.002 nm

晶面取向偏差分析：角度分辨率≤0.01°，重复性误差±0.03°

表面粗糙度检测：Ra值范围0.1-1000 nm

晶格畸变率计算：畸变率阈值≤0.15%

晶面缺陷密度统计：缺陷识别尺寸≥5 nm

检测范围

单晶硅片（半导体器件基材）

金属合金立方晶体（如Al-Cu-Mg系）

III-V族化合物半导体（GaAs、InP等）

光学晶体材料（氟化钙、蓝宝石等）

纳米立方结构粉末（TiO₂、ZnO等）

检测方法

ASTM E112-13：晶粒尺寸测定标准方法

ISO 24173:2009：电子背散射衍射取向分析

GB/T 13301-2019：金属材料X射线衍射测定通则

ASTM F1811-21：硅片表面形貌测试规程

GB/T 30704-2014：晶体学定向透射电镜法

检测设备

Rigaku SmartLab X射线衍射仪：配备9 kW旋转靶光源与HyPix-3000探测器

Bruker D8 Discover高分辨率衍射系统：支持微区聚焦与三维EBSD分析

ZEISS Sigma 500场发射扫描电镜：配备Oxford Symmetry EBSD系统

Tescan Mira4 SEM-FIB双束系统：支持纳米级截面制备与三维重构

AWS International SAXSess mc²小角散射仪：用于亚微米级结构表征

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。