因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

击穿电压测试：测量介质失效电压（0-50kV，精度±0.5%）

漏电流分析：记录0.1nA-10mA范围内的电流波动特性

介电常数测定：频率范围1kHz-1MHz，温度-40℃至150℃

偏压温度稳定性：施加0-30V偏压，监测200小时参数漂移

局部放电检测：灵敏度≤1pC，采样率200MS/s

检测范围

半导体器件：MOSFET、IGBT、二极管

高分子绝缘材料：聚酰亚胺薄膜、环氧树脂

磁性元件：功率电感、变压器绕组

薄膜电容器：金属化聚丙烯膜结构

压电陶瓷材料：PZT系、钛酸钡基陶瓷

检测方法

ASTM D149-09：固体电绝缘材料工频击穿强度测试

IEC 60664-1:2020：绝缘配合的电压耐受试验

GB/T 1408.1-2016：绝缘材料电气强度试验方法

JESD22-A115E：半导体器件偏压寿命试验标准

ISO 2178:2016：非磁性基体金属涂层厚度测量

检测设备

Hipot测试仪：Chroma 19053-P，最大输出电压50kV，支持IEC61010安全标准

高精度源表：Keysight B2912B，分辨率0.1fA/100nV，四象限输出

LCR测试仪：Agilent E4980A，频率范围20Hz至2MHz，基本精度0.05%

局部放电检测系统：PDCheck 2.0，带宽300kHz-30MHz，符合IEC 60270

恒温恒湿箱：ESPEC SH-261，温度范围-70℃至180℃，湿度控制±2%RH

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。