因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

基础灵敏度测试：量程0.1pA~100nA，误差≤±0.5%

噪声水平验证：背景噪声≤2fA/√Hz@1kHz

温度漂移测试：-40℃~85℃范围内稳定性≤0.05%/℃

线性度校准：全量程线性相关系数R²≥0.9995

响应时间测定：阶跃信号上升时间≤50ms

检测范围

半导体材料：硅基/砷化镓晶圆漏电流测试

纳米电子器件：碳纳米管/石墨烯器件载流子迁移率分析

光电传感器件：CMOS/CCD暗电流特性表征

生物医学电极：微电极阵列阻抗谱测量

绝缘材料：高分子薄膜体积电阻率测试

检测方法

ASTM F1241:2018 半导体器件漏电流标准测试规程

ISO 16790:2015 纳米材料电学特性表征方法

GB/T 20234-2022 微弱电流测量通用技术条件

IEC 62660-3:2022 储能器件自放电电流测试规范

SJ/T 11895-2023 集成电路静态功耗测试方法

检测设备

GSM-20H10主机：四象限电压输出（±200V），最小电流分辨率0.05pA

SCS-4200屏蔽箱：双层电磁屏蔽结构（衰减≥120dB@1MHz）

K6517B高阻计：输入阻抗≥200TΩ（带三轴隔离保护）

2636B源表：脉冲模式采样率1MSa/s（24位ADC）

TSP-05温控平台：温度控制精度±0.1℃（-70℃~300℃）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。