因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

热阻（Rth）测试：结壳热阻0.05-1.5K/W, 结环热阻0.1-3.0K/W

饱和压降（VCE(sat)）监测：标称电流下≤3.5V, 波动阈值±5%

栅极电荷（Qg）特性：典型值50-500nC, 漂移量≤10%

功率循环寿命：失效判定标准为ΔVCE≥15%或Rth增幅≥20%

瞬态热阻抗（Zth）：时间常数范围10μs-10s, 精度±3%

检测范围

硅基IGBT单管：电压等级600V-6500V, 电流50A-3600A

IGBT功率模块：包括HPnC、PrimePACK™等封装形式

碳化硅混合IGBT：第三代半导体复合器件

汽车级IGBT组件：AEC-Q101认证产品

压接式IGBT器件：无焊接界面结构类型

检测方法

IEC 60747-9:2020 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管

JESD22-A122D 功率循环加速试验方法

GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

AQG324-2020 电力电子转换器用功率模块质量认证指南

MIL-STD-750F方法1037.1 温度循环试验

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000A/10kV脉冲测试

Thermo Scientific ESPEC STZ-1200环境试验箱：温度冲击速率≥30K/min

Siemens DCT2000动态特性测试系统：双脉冲法测量开关损耗

InfraTec ImageIR®8300红外热像仪：空间分辨率15μm@30Hz

HIOKI PW8001-01功率分析仪：带宽5MHz,基本精度±0.06%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。