因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

晶格常数测定：测量误差≤0.0001nm，范围覆盖2Å-6Å

位错密度分析：检测下限≤10² cm⁻²，分辨率达0.1μm

载流子浓度测试：测量范围1×10¹³~1×10²⁰ cm⁻³，精度±3%

电阻率均匀性检测：空间分辨率50μm，重复性误差<0.5%

表面粗糙度评估：Ra值检测范围0.1nm-100μm，Z轴分辨率0.01nm

检测范围

硅单晶（Si）：包括直拉单晶、区熔单晶

砷化镓单晶（GaAs）：半绝缘型及掺杂型

碳化硅单晶（SiC）：4H/6H多型体

磷化铟单晶（InP）：<100>/<111>晶向

氮化镓单晶（GaN）：HVPE法生长衬底

检测方法

X射线衍射法（ASTM F26）：用于晶格畸变与缺陷分析

四探针电阻率测试（GB/T 1551）：室温至500℃温区测量

霍尔效应测试（ASTM F76）：范德堡法配置，磁场强度0.5T

化学腐蚀法（ISO 14647）：位错密度显蚀与统计

原子力显微镜（GB/T 31227）：表面形貌三维重构

检测设备

高分辨X射线衍射仪（Rigaku SmartLab）：双轴测角器，CuKα辐射源

非接触电阻率测试系统（Semilab WT-2000）：微波光电导衰减法

低温强磁场测试系统（Lake Shore 8400）：温度范围4K-400K，磁场强度±3T

扫描电子显微镜（JEOL JSM-IT800）：二次电子分辨率1.0nm@15kV

白光干涉轮廓仪（Bruker ContourGT-K）：垂直分辨率0.1nm，扫描面积10×10mm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。