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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
表面形貌分析:分辨率≤1.5nm@15kV,工作距离5-10mm
元素成分分析:检测限0.1wt%,能量分辨率≤129eV
晶体结构分析:电子背散射衍射(EBSD)角分辨率≥0.5°
缺陷检测:最小缺陷识别尺寸50nm,景深≥100μm
厚度测量:薄膜厚度范围10nm-10μm,误差±2%
金属材料:铝合金晶界腐蚀、钛合金α/β相分布
半导体器件:芯片焊点IMC层厚度、晶圆表面污染物
高分子材料:聚合物断口形貌、填料分散度
陶瓷材料:ZrO2相变裂纹扩展路径分析
生物样品:骨组织矿化程度、细胞表面受体分布
ASTM E1508-12:扫描电镜定量分析方法
ISO 22309:2011:能谱仪元素定量标准
GB/T 27788-2020:微束分析术语规范
GB/T 17359-2023:电子探针分析导则
ISO 16700:2016:SEM分辨率校准规程
蔡司GeminiSEM 500:场发射电镜,0.6nm@15kV分辨率,配备8通道能谱仪
牛津仪器X-MaxN 150:大面积SDD探测器,可检测B-U元素
布鲁克eFlash HR:EBSD系统,全自动晶体取向分析
日立SU9000:冷场发射电镜,0.4nm@1kV超高分辨率
FEI Helios G4 UX:双束系统,集成FIB加工与EDS分析模块
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。