因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

主成分纯度：镓（Ga）含量≥99.99%，杂质总量≤50ppm

金属杂质元素：Fe≤5ppm，Cu≤2ppm，Ni≤3ppm，Cr≤1ppm

氧化物含量：Ga₂O₃≤0.05%，SiO₂≤0.02%

晶体结构参数：晶格常数偏差≤0.002Å，取向误差≤0.5°

粒度分布：D50=2-5μm，D90≤10μm（激光法测定）

检测范围

半导体材料：GaN衬底、AlGaAs外延片

光学镀膜材料：Ga₂O₃薄膜、镓基硫系玻璃

锂离子电池材料：LiGaO₂固态电解质

催化剂载体：镓改性分子筛

高温陶瓷材料：GaN-SiC复合材料

检测方法

ICP-MS法（ASTM E1479-16）：痕量金属杂质检测

XRD物相分析（GB/T 23413-2009）：晶体结构测定

TG-DSC热分析（ISO 11358-1:2022）：热稳定性评估

SEM-EDS联用（GB/T 17359-2023）：微观形貌与元素分布

FTIR光谱法（ASTM E1252-98）：官能团鉴定

检测设备

Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS：检出限0.1ppb，支持61种元素同步分析

Rigaku SmartLab X射线衍射仪：2θ角度范围5°-150°，分辨率0.0001°

Mettler Toledo TGA/DSC 3+：温度范围25-1600℃，升温速率0.01-300K/min

JEOL JSM-7900F场发射电镜：分辨率0.8nm@15kV，配备牛津X-MaxN 150 EDS

Malvern Mastersizer 3000：粒度测量范围0.01-3500μm，重复性误差≤0.5%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。