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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
平均晶粒尺寸:测量范围0.1-2000μm,误差≤±5%
晶粒度级别数:按ASTM E112标准划分G=1-14级
晶界角度分布:检测范围5°-62.8°,分辨率0.1°
晶粒长宽比:测量精度±0.05,范围1:1-10:1
晶粒分布均匀性:采用面积变异系数(CV值)评估,阈值≤15%
金属材料:铝合金、钛合金、不锈钢等铸轧件
陶瓷材料:氧化锆、碳化硅等烧结体
粉末冶金制品:硬质合金、金属注射成型件
高温合金:镍基/钴基涡轮叶片
半导体材料:单晶硅、GaN外延层
金相法:ASTM E112、GB/T 6394,截距法/面积法测定晶粒度
电子背散射衍射(EBSD):ISO 13067,取向成像显微术
X射线衍射(XRD):GB/T 23413,Scherrer公式计算晶粒尺寸
激光散射法:ISO 13320,适用于亚微米级粉末检测
扫描电镜(SEM):GB/T 16594,二次电子像统计分析
蔡司Axio Imager 2:自动金相显微镜,配备Image-Pro Plus分析模块
牛津Symmetry EBSD系统:分辨率0.1μm,角度精度±0.5°
布鲁克D8 ADVANCE XRD:Cu靶Kα辐射,2θ范围5°-160°
马尔文Mastersizer 3000:激光粒度仪,测量范围0.01-3500μm
日立SU5000场发射SEM:分辨率1.0nm@15kV,配备EDS能谱
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。