因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

能带结构分析：带隙值（eV）、价带顶位置（k-space坐标）、导带底能量（eV）

载流子迁移率检测：电子迁移率（cm²/V·s）、空穴迁移率（cm²/V·s）、霍尔系数（m³/C）

光吸收系数测定：吸收边波长（nm）、Urbach能量（meV）、吸收系数α（cm⁻¹）

光致发光谱（PL）分析：发射峰波长（nm）、半峰宽（FWHM，meV）、量子效率（%）

载流子寿命检测：非辐射复合寿命（μs）、缺陷浓度（cm⁻³）、表面复合速率（cm/s）

检测范围

硅基半导体：单晶硅、多晶硅薄膜、硅锗合金（Si_1-xGe_x）

III-V族化合物：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）

二维材料：二硫化钼（MoS₂）、六方氮化硼（h-BN）、黑磷（BP）

光伏材料：钙钛矿（CH₃NH₃PbI₃）、铜铟镓硒（CIGS）薄膜

光电器件：发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、光电探测器

检测方法

霍尔效应测试：ASTM F76-08(2020)、GB/T 1551-2009

紫外-可见-近红外（UV-Vis-NIR）光谱法：ISO 13468-1:2019、GB/T 14571-2013

时间分辨光致发光（TRPL）：IEC 62805-2:2017、GB/T 31369-2015

椭圆偏振光谱（SE）：ASTM E1792-12(2019)、ISO 14707:2015

X射线光电子能谱（XPS）：ISO 15472:2010、GB/T 19500-2004

检测设备

能带结构分析：Horiba LabRAM HR Evolution（拉曼光谱仪，分辨率0.35 cm⁻¹）

载流子迁移率检测：Lake Shore 8404系列霍尔效应测量系统（磁场范围0-2 T）

光吸收系数测定：PerkinElmer Lambda 1050（光谱范围175-3300 nm）

光致发光谱分析：Edinburgh Instruments FLS1000（检测灵敏度＜1光子/秒）

载流子寿命检测：PicoQuant FluoTime 300（时间分辨率≤5 ps）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。