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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
解理面间距测量:范围0.1-10 nm,精度±0.02 nm
解理角测定:角度范围0°-180°,误差≤0.5°
晶格常数分析:XRD法检测,精度±0.001 Å
解理面平整度:粗糙度Ra≤50 nm(SEM成像)
解理能计算:通过纳米压痕法,载荷范围0.1-500 mN
金属单晶材料:如铝、铜、钛合金单晶
半导体晶体:硅(Si)、砷化镓(GaAs)等
陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)
矿物晶体:方解石、云母、石英
高分子晶体:聚乙烯(PE)、聚四氟乙烯(PTFE)
X射线衍射(XRD):ASTM E915,GB/T 23413-2009
扫描电子显微镜(SEM):ISO 23833,GB/T 27788-2020
透射电子显微镜(TEM):ISO 25498,GB/T 36065-2018
原子力显微镜(AFM):ASTM E2859,GB/T 35070-2018
纳米压痕测试:ISO 14577,GB/T 21838-2008
扫描电子显微镜:JEOL JSM-IT800,分辨率1.2 nm@15 kV
X射线衍射仪:Bruker D8 ADVANCE,角度范围0-160°(2θ)
原子力显微镜:Bruker Dimension Icon,扫描范围90 μm×90 μm
透射电子显微镜:FEI Talos F200X,点分辨率0.12 nm
纳米压痕仪:Keysight G200,最大载荷500 mN
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。