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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
热解外延检测技术全解析
热解外延检测技术指南
热解外延检测主要针对以下核心指标:
晶体质量分析:包括位错密度、晶格缺陷和结晶取向
薄膜厚度测量:纳米级厚度精度检测
元素成分检测:材料化学组成的精确分析
表面粗糙度评估:原子力显微镜(AFM)表征
电学性能测试:载流子浓度与迁移率测定
典型检测周期为3-5个工作日,关键参数检测精度可达0.1nm级别。
材料类型 | 应用领域 | 典型样品 |
---|---|---|
III-V族半导体 | 光电子器件 | GaN外延片 |
宽禁带材料 | 功率电子 | SiC外延层 |
二维材料 | 新型传感器 | 石墨烯异质结 |
适用于直径100-300mm晶圆的全面检测,支持从研发到量产的全程质量监控。
采用θ-2θ扫描模式,测量晶格常数偏差±0.0001nm
使用325nm激光激发,检测带边发射峰位偏移
深度分辨率达1nm/层,检测掺杂元素分布
配合EDS实现微区成分分析,空间分辨率5nm
型号:Rigaku SmartLab 9kW
特点:四轴测角仪,摇摆曲线半高宽<15arcsec
型号:Horiba LabRAM HR Evolution
配置:液氦闭循环恒温器(10-300K)
型号:ION-TOF TOF.SIMS 5
检测限:ppb级元素灵敏度
型号:Bruker Dimension Icon
模式:PeakForce Tapping® 技术
北京前沿科学技术研究院
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