因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 体材料杂质全分析：对硅、锗、砷化镓、碳化硅等半导体单晶锭或晶圆进行系统扫描，检测碱金属、过渡金属、重金属、碱土金属等数十种痕量杂质元素的总含量。

2. 表面污染检测：分析晶圆表面吸附或沉积的有机污染物、金属离子、颗粒物及自然氧化层厚度，评估清洗工艺效果与表面洁净度。

3. 气体杂质分析：检测高纯氮气、氢气、氩气、硅烷、磷烷、砷烷等特种气体中的氧气、水分、一氧化碳、二氧化碳、烃类及颗粒物含量。

4. 湿电子化学品纯度检测：测定氢氟酸、硫酸、过氧化氢、氨水、显影液等化学品中的金属阳离子、阴离子、颗粒数及总有机碳含量。

5. 掺杂浓度与均匀性测绘：精确测量晶片中硼、磷、砷等掺杂剂的浓度及其在径向和深度方向的分布均匀性，评估掺杂工艺质量。

6. 氧含量与碳含量测定：针对直拉硅单晶，精确测量间隙氧、置换碳的浓度及其分布，这些参数直接影响晶体缺陷与机械强度。

7. 颗粒计数与尺寸分布：统计单位面积晶圆或单位体积液体、气体中颗粒的数量，并按粒径大小进行分级，评估洁净度等级。

8. 同位素丰度分析：对硅等半导体材料进行硅-二十八、硅-二十九、硅-三十等同位素丰度比测定，用于特定高端应用的材料溯源与性能研究。

9. 有机污染物鉴定：识别与定量分析晶圆表面或化学品中的塑化剂、抗氧化剂、溶剂残留等有机分子污染物。

10. 深度剖析：对薄膜材料或经过工艺处理的晶圆进行元素成分随深度的变化分析，揭示界面污染、扩散行为及薄膜均匀性。

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检测范围

1. 硅基半导体材料：包括直拉单晶硅、区熔单晶硅、多晶硅、硅外延片、二氧化硅薄膜、硅 nitride薄膜等，检测其本征纯度、掺杂剂及工艺引入的污染。

2. 化合物半导体材料：涵盖砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等第三、第四代半导体晶圆与衬底，关注其化学计量比偏差及特定深能级杂质。

3. 晶圆与衬底：检测抛光片、外延片、图案化晶圆等在不同工艺阶段后的表面金属污染、有机物残留、颗粒及微观缺陷。

4. 高纯特种气体：检测用于化学气相沉积、离子注入、刻蚀等工艺的硅烷、氨气、氦气、氯气、三氟化氮等电子级气体的痕量杂质。

5. 湿电子化学品：包括蚀刻液、清洗液、显影液、剥离液、电镀液等超纯化学试剂，检测其金属杂质、阴离子、颗粒及有机物含量。

6. 溅射靶材与蒸发源：分析铝、铜、钛、钽、钴等高纯金属靶材或合金靶材中的杂质元素含量，确保成膜纯度。

7. 化学机械抛光浆料：检测二氧化硅、氧化铈、氧化铝等抛光液中磨料粒径分布、金属杂质浓度、酸碱度及稳定性指标。

8. 光刻胶及相关材料：分析光刻胶树脂、溶剂、光引发剂中的金属杂质、颗粒含量及其在曝光、显影后的残留物成分。

9. 封装材料：包括环氧塑封料、陶瓷基板、键合丝、焊球等，检测其离子杂质、放射性元素含量及释气污染物。

10. 回收与再生材料：对从废料中回收的高纯硅、镓、锗等材料进行纯度验证，确保其满足重新投入生产的质量门槛。

检测标准

国际标准：

SEMI C1、SEMI C3、SEMI C5、SEMI C7、SEMI C8、SEMI C10、SEMI C28、SEMI MF42、SEMI MF723、SEMI MF1726、SEMI MF1809、SEMI MF1810、SEMI MF1981、SEMI MF2139、ASTM F24、ASTM F394、ASTM F723、ASTM F1390、ASTM F1845、ASTM F2981、ISO 14644、ISO 16232、IEC 60749、IEC 62321

国家标准与行业标准：

GB/T 12962、GB/T 12963、GB/T 14847、GB/T 1550、GB/T 1551、GB/T 1553、GB/T 1554、GB/T 1555、GB/T 1557、GB/T 1558、GB/T 24574、GB/T 24577、GB/T 24578、GB/T 25915、GB/T 29054、GB/T 29055、SJ/T JianCe80、SJ/T 11611、SJ/T 11612、SJ/T 11637、YS/T 679

检测设备

1. 二次离子质谱仪：利用一次离子束轰击样品表面，溅射出二次离子进行质谱分析，实现从氢到铀的全元素深度剖析，检测限可达十亿分浓度至万亿分浓度级别。

2. 电感耦合等离子体质谱仪：将样品溶液雾化后送入高温等离子体中进行电离，通过质谱检测，用于液体样品及溶解后的固体样品中痕量、超痕量多元素同时分析。

3. 全反射X射线荧光光谱仪：利用X射线在样品表面发生全反射现象，极大降低背景噪声，专门用于硅片等表面纳米级薄层中金属污染的快速、无损、高灵敏度检测。

4. 气相色谱-质谱联用仪：通过气相色谱分离复杂有机物混合物，质谱进行定性定量分析，用于高纯气体、化学品及晶圆表面有机污染物的鉴定。

5. 傅里叶变换红外光谱仪：基于分子对红外光的特征吸收，用于测定硅中间隙氧、替代碳的浓度，以及表征薄膜化学成分、厚度和键合结构。

6. 辉光放电质谱仪：利用辉光放电直接固体取样并电离，实现块体材料从主量元素到超痕量杂质的全元素定量分析，无需复杂前处理。

7. 原子力显微镜：通过探针与样品表面原子间的相互作用力成像，提供表面形貌、粗糙度及纳米尺度颗粒的三维信息。

8. 颗粒计数器：基于光散射原理，对液体或气体中的颗粒进行自动计数与粒径大小分类，评估洁净度是否符合相应等级标准。

9. 四探针电阻率测试仪：通过四个等间距探针与半导体表面接触，测量电阻率，进而推算载流子浓度，用于掺杂均匀性快速检测。

10. 总有机碳分析仪：通过高温催化氧化或紫外氧化将水样中的有机碳转化为二氧化碳，并定量检测，用于超纯水及化学品中有机污染总量的监控。

AI参考视频

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。